חוזה חדש לטאואר בארה"ב, בייצור שבבים לדור הרביעי של המכשירים הסלולריים ללקוח אמריקני. החברה הודיעה היום (ב') כי נבחרה על-ידי חברת VT Silicon לייצר את שבבי ה-RF ליישומים מגוונים עבור מכשירים ניידים בדור הרביעי, העונים על דרישות התפעול המחמירות של ההתקנים הניידים בדור זה. שוק יישומי המכשירים הניידים בדור הרביעי צפוי לצמוח מ-3 מיליארד דולר בשנת 2009 ל-40 מיליארד דולר ב-2012.
VT Silicon בחרה בתהליך ה-SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון של טאואר-ג'אז, המספקת תכונות משופרות וכן רמות גבוהות יותר של אינטגרציה של פונקציות RF בטלפונים סלולאריים מדור שלישי ורביעי. הטכנולוגיה גם מאפשר עלויות נמוכות משמעותית ואינטגרציה גבוהה. כמו כן, יכולות התכנון של טאואר-ג'אז יאפשרו תכנון מהיר ויעיל תוך יצירת יתרון בזמן הגעה לשוק.
"אנו ממשיכים לראות מעבר של מוצרים מבוססי GaAs לטכנולוגיית ה-SiGe. שינוי זה מאפשר הזדמנויות צמיחה מרגשות לטכנולוגיה שלנו, כפי שניתן לראות בתכנון פורץ הדרך של VT Silicon עבור התקנים סלולריים בדור הרביעי", אמר ד"ר מרקו רקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF. "אנו מצפים להמשיך ולעזור ללקוחותינו לממש את מוצרי הדור הבא החדשניים לא רק על-ידי מינוף טכנולוגיית ה-SiGe שלנו, אלא גם על-ידי שימוש ביכולות התכנון המאפשרות זמן הגעה מהיר לשוק עבור יישומים ניידים חדשים", הוסיף.
לתשומת לבכם: מערכת גלובס חותרת לשיח מגוון, ענייני ומכבד בהתאם ל
קוד האתי
המופיע
בדו"ח האמון
לפיו אנו פועלים. ביטויי אלימות, גזענות, הסתה או כל שיח בלתי הולם אחר מסוננים בצורה
אוטומטית ולא יפורסמו באתר.
כתבות
ני"ע
